温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
- 收藏
- 对比
SQ4431EY-T1-GE3-VB
1个P沟道 耐压:30V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中，其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SQ4431EY-T1-GE3-VB商品编号
C7568822商品封装
SOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.235克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 23mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.37V |
梯度价格
梯度
售价
折合1圆盘
5+￥1.3944
50+￥1.3668
150+￥1.3484
500+￥1.1751￥4700.4
优惠活动
库存总量
(单位：个)广东仓
0
江苏仓
20
购买数量(4000个/圆盘，最小起订量 5 个 )
个
起订量：5 个4000个/圆盘
近期成交0单
咨询客服
优惠券
芯媒体
建议反馈- 投诉意见
收起
优惠券
