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PHT6NQ10T-VB
1个N沟道 耐压:100V
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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道型器件，采用Trench工艺制造，适用于低功率电源模块、汽车电子、智能家居等领域。SOT223；N—Channel沟道,100V；5A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~3V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
PHT6NQ10T-VB商品编号
C7568815商品封装
SOT-223包装方式
编带
商品毛重
0.29克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 100mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V |
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