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MTP10N10ELG-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:18A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于多种低功率功率电子应用。具有高性能和可靠性，特别适合要求高效率和低功率的电源和驱动器应用。TO220；N—Channel沟道,100V；18A；RDS(ON)=127mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- MTP10N10ELG-VB
- 商品编号
- C7568811
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 4.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 127mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 105W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 中间DC/DC电源中的有源钳位
- 照明应用的H桥高端开关
- P沟道MOSFET
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