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SI1315DL-T1-GE3-VB
1个P沟道 耐压:20V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单极性的功率场效应管，采用Trench工艺制造，适合于空间有限的应用场合。SC70-3；P—Channel沟道,-20V；-3.1A；RDS(ON)=80mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.45~-1.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI1315DL-T1-GE3-VB商品编号
C7568818商品封装
SC70-3包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 98mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V |
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