我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
立创商城logo
购物车0
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
SI1315DL-T1-GE3-VB实物图
  • SI1315DL-T1-GE3-VB商品缩略图
  • SI1315DL-T1-GE3-VB商品缩略图
  • SI1315DL-T1-GE3-VB商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SI1315DL-T1-GE3-VB

1个P沟道 耐压:20V

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单极性的功率场效应管，采用Trench工艺制造，适合于空间有限的应用场合。SC70-3；P—Channel沟道,-20V；-3.1A；RDS(ON)=80mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.45~-1.5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI1315DL-T1-GE3-VB
商品编号
C7568818
商品封装
SOT-323(SC-70)​
包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3.1A
导通电阻(RDS(on))98mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)500mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)4.3nC@4.5V；2.7nC@2.5V
输入电容(Ciss)272pF
反向传输电容(Crss)44pF
类型P沟道
输出电容(Coss)55pF

数据手册PDF

放大查看下载PDF

优惠活动

  • 8.5折

    购买数量

    (3000个/圆盘，最小起订量 5 个)
    个
    起订量：5 个3000个/圆盘

    总价金额：

    ￥ 0.00

    近期成交1单