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IRF644NPBF-VB
1个N沟道 耐压:250V
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型沟道MOSFET，采用Trench技术，适合于中等功率模块和一般工业应用。TO220；N—Channel沟道,250V；14A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF644NPBF-VB
- 商品编号
- C7568806
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.925克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 175°C结温
- 低热阻封装
- 100%栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 隔离式DC/DC转换器-N沟道MOSFET
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