温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRLR3110ZTRPBF-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:85A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRLR3110ZTRPBF-VB
- 商品编号
- C7568810
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.505克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 176W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 205pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 565pF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
相似推荐
其他推荐
- MTP10N10ELG-VB
- NX7002AK-VB
- PHT6NQ10T-VB
- PSMN5R6-100BS-VB
- RF1S30N06LESM-VB
- SI1315DL-T1-GE3-VB
- SI4490DY-T1-E3-VB
- SPB80N06S2L-11-VB
- SQ2310ES-T1-GE3-VB
- SQ4431EY-T1-GE3-VB
- STB80NF10T4-VB
- STL11N3LLH6-VB
- SUD50N04-05L-E3-VB
- SUD50N06-36-VB
- TK5P60W-VB
- UF3205L-TA3-T-VB
- ZVN4206GTA-VB
- FDMS86520L-VB
- IPD60N10S4L-12-VB
- SI7611DN-VB
- FDMS8622-VB