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IRFP064PBF-VB
1个N沟道 耐压:60V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种领域的功率电子应用。TO247；N—Channel沟道,60V；150A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~3.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRFP064PBF-VB商品编号
C7568808商品封装
TO-247包装方式
管装
商品毛重
9.415克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V |
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