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CEU02N6A-VB
1个N沟道 耐压:650V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型场效应晶体管，采用Plannar技术制造，适用于各种电源和电路模块。TO252；N—Channel沟道,650V；2A；RDS(ON)=3800mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2~4V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
CEU02N6A-VB商品编号
C7568794商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.3Ω@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V |
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