温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD18532Q5B-VB
1个N沟道 耐压:60V
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单路N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于中功率电子设备的功率开关和控制模块。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,60V；100A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- CSD18532Q5B-VB
- 商品编号
- C7568796
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.255克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.65nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF@25V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合欧盟2011/65/EU号RoHS指令
应用领域
- 或门应用
- 服务器
- 直流-直流转换器
相似推荐
其他推荐