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HSP60N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:60A
- 描述
- HSP60N06是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSP60N06符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过正向偏置安全工作区（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSP60N06
- 商品编号
- C7543709
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.84nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 106pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSP60N06是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSP60N06符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 100%保证具有抗雪崩能力（EAS）
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术