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HSH0026
1个N沟道 耐压:100V 电流:50A
- 描述
- HSH0026是高单元密度沟槽式N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSH0026符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过抗雪崩能力（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSH0026
- 商品编号
- C7543766
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V,9A | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.93nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
HSBA3903 是高性能互补 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，具有高单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSBA3903 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100% 保证通过 EAS 测试，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 100% 保证通过 EAS 测试
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术