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HSH80N20
1个N沟道 耐压:200V 电流:80A
- 描述
- HSH80N20 是高性能沟槽型 N 沟道 MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSH80N20 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），且通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSH80N20
- 商品编号
- C7543767
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.013克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 370W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 115nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.49nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSH30N15A是高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSH30N15A符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备完整的可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供绿色环保器件
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术