HSH100P06
1个P沟道 耐压:60V 电流:100A
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- 描述
- HSH100P06是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。HSH100P06符合RoHS标准和绿色产品要求,100%保证具有抗雪崩能力,且通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSH100P06
- 商品编号
- C7543771
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 210W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.2nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 分裂栅极沟槽MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
应用领域
- 直流-直流转换器
- 电源管理功能
- 同步整流应用
