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HSH100P06实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HSH100P06

1个P沟道 耐压:60V 电流:100A

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描述
HSH100P06是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。HSH100P06符合RoHS标准和绿色产品要求,100%保证具有抗雪崩能力,且通过了全功能可靠性认证。
品牌名称
HUASHUO(华朔)
商品型号
HSH100P06
商品编号
C7543771
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
2.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))5.5mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)210W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)85nC@10V
输入电容(Ciss)5.2nF@30V
反向传输电容(Crss)50pF@30V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

商品特性

  • 分裂栅极沟槽MOSFET技术
  • 出色的散热封装
  • 用于低RDS(ON)的高密度单元设计

应用领域

  • 直流-直流转换器
  • 电源管理功能
  • 同步整流应用

数据手册PDF