温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSH80P10
1个P沟道 耐压:100V 电流:80A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- HSH80P10采用先进的沟槽MOSFET技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷特性，适用于各种其他应用。HSH80P10符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有雪崩耐量，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSH80P10
- 商品编号
- C7543772
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.724克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V,40A | |
| 耗散功率(Pd) | 210W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.66nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSP100P06是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSP100P06符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%雪崩能量耐量（EAS）保证
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术
相似推荐
其他推荐