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HSX80N20
1个N沟道 耐压:200V 电流:80A
- 描述
- HSX80N20是高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSX80N20符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过抗雪崩能力（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSX80N20
- 商品编号
- C7543773
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 370W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 115nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.49nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
HSH80P10采用先进的沟槽MOSFET技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷，适用于多种其他应用。 HSH80P10符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 100%雪崩耐量（EAS）保证
- 提供绿色环保器件
- 出色的dv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 便携式设备和电池供电系统