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HSH110P04
1个P沟道 耐压:40V 电流:110A
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- 描述
- HSH110P04 是高单元密度的沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSH110P04 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过了抗雪崩能力（EAS）测试，并经过了全面的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSH110P04
- 商品编号
- C7543770
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 115nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.09nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 722pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
HSX80N20是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSX80N20符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩能量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。 适用于功率开关应用
- 提供绿色环保器件 出色的dv/dt效应抑制能力
- 采用先进的高单元密度沟槽技术