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HSP30N15A
1个N沟道 耐压:150V 电流:30A
- 描述
- HSP30N15A 是性能最高的沟槽型 N 沟道 MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻 (RDSON) 和栅极电荷。HSP30N15A 符合 RoHS 和绿色产品要求，100% EAS 保证，并已通过全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSP30N15A
- 商品编号
- C7543711
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 81W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.19nF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
HSU5N20是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 HSU5N20符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术