温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSU15P15
1个P沟道 耐压:150V 电流:15A
- 描述
- HSU15P15采用先进的沟槽MOSFET技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷，适用于各种其他应用。HSU15P15符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSU15P15
- 商品编号
- C7543708
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.052克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 338mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 90W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.99nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 31.5pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
HSP30N15A是具有极高单元密度的高性能沟槽N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSP30N15A符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
~~- 超低栅极电荷-提供绿色环保器件-出色的Cdv/dt效应抑制-先进的高单元密度沟槽技术