- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CXDQ3BFAM-CJ-A
8Gb DDR4 SDRAM
- 品牌名称
- CXMT(长鑫)
- 商品型号
- CXDQ3BFAM-CJ-A
- 商品编号
- C7543662
- 商品封装
- FBGA-96(7.5x13)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 1.6GHz | |
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 工作电压 | 1.14V~1.26V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 136.4mA | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 自动自刷新；CRC功能；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品特性
- 8Gb容量，采用DDR4接口标准
- 支持DDR4-3200速度等级
- 工作电压：VDD = 1.2 V，VPP = 2.5 V
- 支持1.2 V I/O电压（VDDQ）
- 工作温度范围：-40~105℃
- 采用x16数据位宽配置
- 提供符合JEDEC标准的78球FBGA封装
- 支持自动刷新和自刷新模式
- 支持可编程的片内终端电阻（ODT）
- 支持可编程的CAS延迟（CL）、CAS写入延迟（CWL）和附加延迟（AL）
- 支持可编程的突发长度（BL）
- 支持可编程的预充电模式
- 支持可编程的写入恢复时间（WR）
- 支持可编程的刷新间隔（tREFI）
- 支持可编程的刷新周期（tRFC）
- 支持可编程的ZQ校准
- 支持可编程的ODT模式
- 支持可编程的ODT时序
- 支持可编程的ODT阻抗
- 支持可编程的ODT掉电模式
- 支持可编程的ODT上电模式
- 支持可编程的ODT动态模式
- 支持可编程的ODT静态模式
- 支持可编程的ODT动态掉电模式
- 支持可编程的ODT动态上电模式
- 支持可编程的ODT动态时序
- 支持可编程的ODT动态阻抗
- 支持可编程的ODT动态掉电时序
- 支持可编程的ODT动态上电时序
- 支持可编程的ODT动态掉电阻抗
- 支持可编程的ODT动态上电阻抗