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CGWT40N120F2KAD
1200V、40A IGBT
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- 描述
- CGWT40N120F2KAD采用了捷捷半导体（JSCJ）的第二代IGBT技术，具备先进的沟槽和场截止（FS）结构，集电极 - 发射极饱和电压极低，易于并联使用。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CGWT40N120F2KAD
- 商品编号
- C7543665
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.016667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 357W | |
| 输出电容(Coes) | 125pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 160A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.7V@40A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 170.6nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 4.225nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 41ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 171ns | |
| 导通损耗(Eon) | 3mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.4mJ | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 27.5pF |