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HSSX2204
2个N沟道 耐压:20V
- 描述
- HSSX2204 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。HSSX2204 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且经过全面的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSSX2204
- 商品编号
- C7543681
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 42pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 快速开关速度
- 超低栅极电荷
- 高端开关
- 低阈值
- 静电放电(ESD)保护高达2KV
应用领域
- 电池供电系统
- 便携式设备