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HSBB3909
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:24A 27A
- 描述
- HSBB3909是高性能互补型N沟道和P沟道MOSFET，具有高单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSBB3909符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，且经过全面功能可靠性验证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBB3909
- 商品编号
- C7543695
- 商品封装
- PRPAK3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A；24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.213nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 234pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSU30N02是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSU30N02符合RoHS和绿色产品要求，100%经过耐雪崩能力（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 电池保护
- 电源管理