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HSBB0903
1个N沟道+1个P沟道 耐压:100V 电流:6A 4.2A
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- 描述
- 小封装
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBB0903
- 商品编号
- C7543696
- 商品封装
- PRPAK3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A；4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V,2.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 7.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.229nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
CJQ4406A采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)、抗直通能力、体二极管特性和超低栅极电阻。该器件非常适合用作笔记本电脑CPU核心电源转换中的低端开关。
应用领域
- 电池开关-负载开关