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HSBA90N12
1个N沟道 耐压:120V 电流:90A
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- 描述
- 先进的沟槽MOS技术。低栅极电荷。低导通电阻。100%保证雪崩耐量。有环保器件可供选择
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA90N12
- 商品编号
- C7543699
- 商品封装
- PRPAK5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.82nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
先进SGT MOS技术 低栅极电荷 低导通电阻（Rds(on)） 100%保证EAS 有绿色环保器件可供选择
商品特性
- 先进SGT MOS技术
- 低栅极电荷
- 低导通电阻（Rds(on)）
- 100%保证EAS
- 有绿色环保器件可供选择
应用领域
- 负载开关
- LED应用
- 网络应用
- 快速充电器