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HSBA90N12
1个N沟道 耐压:120V 电流:90A
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- 描述
- 先进的沟槽MOS技术。低栅极电荷。低导通电阻。100%保证雪崩耐量。有环保器件可供选择
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA90N12
- 商品编号
- C7543699
- 商品封装
- PRPAK5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.82nF@60V | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF@60V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
BSC070N10NS3G采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更高的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源极电压VDS = 100 V，漏极电流ID = 75 A
- 当栅源极电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 9.2 mΩ
应用领域
- 消费电子电源-电机控制-同步整流-隔离式直流电源-同步整流应用