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HSBB0056
1个N沟道 耐压:100V 电流:27A
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- 描述
- 低结电容 封装小
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBB0056
- 商品编号
- C7543692
- 商品封装
- PRPAK3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 28W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 849pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 100% EAS 保证
- 低导通状态漏源电阻
- 低栅极电荷
- 符合 RoHS 标准且无卤
应用领域
- 便携式设备
- 电池供电系统
- 硬开关和高速电路