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HSM10N15A
1个N沟道 耐压:150V 电流:10A
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- 描述
- HSM10N15A是具有极高单元密度的高性能沟槽式N沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSM10N15A符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSM10N15A
- 商品编号
- C7543686
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.19nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSSX2901是高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，具有高单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSSX2901符合RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
- 接口开关
- 负载/电源开关
- 逻辑电平转换
- 静电放电保护栅极
商品特性
-超低栅极电荷-提供绿色环保器件-出色的Cdv/dt效应抑制能力-先进的高单元密度沟槽技术