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HSM4614
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:7A 6A
- 描述
- HSM4614是具有高单元密度的高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSM4614符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过全功能可靠性认证，确保产品质量。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSM4614
- 商品编号
- C7543688
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A；7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.67W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSM4614是高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，具有高单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSM4614符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证EAS（雪崩能量耐量），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 100%保证EAS
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 双SOP8引脚配置