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HSSK2N7002
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
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- 描述
- 产品材料符合RoHS要求且无卤素。具备ESD保护。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSSK2N7002
- 商品编号
- C7543684
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3Ω@10V,0.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 500pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 18.5pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%保证耐雪崩能力
- 提供环保型器件
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 电源管理
- 直流电机控制