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HSSX2303
2个P沟道 耐压:20V 电流:0.8A
- 描述
- HSSX2303是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSSX2303符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSSX2303
- 商品编号
- C7543682
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 145pF@6V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@6V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
IRLML6402TRPBF采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -4.2A
- 当VGS = -4.5V时，RDS(ON)为55mΩ
- 当VGS = -2.5V时，RDS(ON)为75mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- P沟道MOSFET