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CGR75N120F2KAD实物图
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CGR75N120F2KAD

1.2kV 120A

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描述
采用第二代IGBT技术,具有先进的沟槽和场截止(FS)结构,集电极-发射极饱和电压非常低,易于并联使用。
商品型号
CGR75N120F2KAD
商品编号
C7543668
商品封装
TO-247-3L​
包装方式
管装
商品毛重
8.856667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型FS(场截止)
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
集电极电流(Ic)120A
耗散功率(Pd)395W
输出电容(Coes)269pF
正向脉冲电流(Ifm)225A
集射极饱和电压(VCE(sat))1.65V@75A,15V
栅极阈值电压(Vge(th))4.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)348nC@15V
输入电容(Cies)7.239nF
开启延迟时间(Td(on))64ns
关断延迟时间(Td(off))245ns
导通损耗(Eon)6mJ
关断损耗(Eoff)2.6mJ
工作温度-40℃~+175℃
反向传输电容(Cres)60pF

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