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CGWT80N65F2KAD
A档 650V 100A
- 描述
- CGWT80N65F2KAD采用了捷捷半导体（JSCJ）的第二代IGBT技术，具备先进的沟槽和场截止（FS）结构，具有较高的应用频率、低集电极 - 发射极饱和电压和开关损耗，易于并联使用。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CGWT80N65F2KAD
- 商品编号
- C7543669
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 耗散功率(Pd) | 390W | |
| 输出电容(Coes) | 256pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 240A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.7V@80A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 108.8nC@15V | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 26ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 94ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.69mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 870uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 90ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 30pF |
优惠活动
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