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PSMN2R3-100SSEJ
PSMN2R3-100SSEJ
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN2R3-100SSEJ
- 商品编号
- C7508970
- 商品封装
- SOT-1235
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 255A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.28mΩ@10V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 341W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 242nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 17.2nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 94pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
AGM18N50F将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON)，可最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷，可实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- 电子镇流器-电子变压器-开关模式电源