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PSMN6R1-40HLX
N沟道40V、7.2mΩ逻辑电平MOSFET，采用TrenchMOS技术
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- 描述
- 双逻辑电平N沟道MOSFET，采用TrenchMOS技术，封装为LFPAK56D（双Power-SO8）。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN6R1-40HLX
- 商品编号
- C7508978
- 商品封装
- SOT-1205
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 击穿电压 | 40V | |
| 反向电流(Ir) | 1uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | ESD |
商品概述
采用TrenchMOS技术、采用LFPAK56D（双Power-SO8）封装的双逻辑电平N沟道MOSFET。
商品特性
- 双MOSFET
- 重复雪崩额定值
- 高可靠性LFPAK56D封装
- 铜夹、焊片连接
- 可在175℃环境下使用
应用领域
- 无刷直流电机控制
- DC-DC转换器
- 高性能同步整流
- 高性能、高效率服务器电源