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PSMP061-60YEX
P沟道 60V 25A
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- 描述
- 采用沟槽MOSFET技术、LFPAK56（Power SO8）表面贴装器件（SMD）塑料封装的P沟道增强型MOSFET。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMP061-60YEX
- 商品编号
- C7508992
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 66W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.06nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF |
商品概述
2N7002T采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 0.115A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 3Ω
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- SOT - 523
- N沟道MOSFET