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PSMN6R8-40HSX
N沟道 40V 40A
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- 描述
- 采用TrenchMOS技术、LFPAK56D（双Power-SO8）封装的双路标准电平N沟道MOSFET。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN6R8-40HSX
- 商品编号
- C7508979
- 商品封装
- SC-79
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 64W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.46nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 197pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 324pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、MLPAK33（SOT8002）表面贴装器件（SMD）塑料封装的P沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 低阈值电压
- 沟槽MOSFET技术
- MLPAK33封装（3.3 x 3.3 mm占位面积）
应用领域
- 高端负载开关-电池管理-直流-直流转换-开关电路
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