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PSMP033-60YEX
P沟道 60V 30A
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- 描述
- 采用沟槽MOSFET技术、LFPAK56（Power SO8）表面贴装器件（SMD）塑料封装的P沟道增强型MOSFET。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMP033-60YEX
- 商品编号
- C7508991
- 商品封装
- LFPAK56(PowerSO-8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.59nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 118pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 202pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、LFPAK56（Power SO8）表面贴装器件（SMD）塑料封装的P沟道增强型MOSFET。
商品特性
- N沟道：
- 漏源电压（V） = 30 V
- 漏极电流 = 6.8 A（栅源电压 = 10 V）
- 导通电阻 < 27 mΩ（栅源电压 = 10 V）
- P沟道：
- 漏源电压（V） = -30 V
- 漏极电流 = -4.6 A（栅源电压 = -10 V）
- 导通电阻 < 64 mΩ（栅源电压 = -10 V）
应用领域
- 反接电池保护
- 电源管理
- 高端负载开关
- 电机驱动
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