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PSMN8R0-40HLX
N沟道40V、9.4mΩ逻辑电平MOSFET，采用TrenchMOS技术
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- 描述
- 双逻辑电平 N 沟道 MOSFET，采用 TrenchMOS 技术，封装为 LFPAK56D（双功率 SO8）。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN8R0-40HLX
- 商品编号
- C7508981
- 商品封装
- DFN1006D-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.57克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 通道数 | 双路 | |
| 类型 | ESD |
商品概述
采用TrenchMOS技术、LFPAK56D（双Power-SO8）封装的双逻辑电平N沟道MOSFET。
商品特性
- 双MOSFET
- 重复雪崩额定
- 高可靠性LFPAK56D封装
- 铜夹、焊片连接
- 可在175 ℃环境下工作
应用领域
- 无刷直流电机控制
- 直流-直流转换器
- 高性能同步整流
- 高性能、高效率服务器电源