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PSMN4R5-80YSFX实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PSMN4R5-80YSFX

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描述
NextPower 80 V标准电平栅极驱动MOSFET。可在175 ℃环境下工作,推荐用于工业和消费类应用。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PSMN4R5-80YSFX
商品编号
C7508976
商品封装
LFPAK56​
包装方式
编带
商品毛重
0.194545克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))3.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)238W
阈值电压(Vgs(th))3V@1mA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)60nC@10V
输入电容(Ciss)4.292nF
反向传输电容(Crss)47pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.144nF

商品概述

采用特定应用(ASFET)增强型SOA技术的单通道、逻辑电平、N沟道MOSFET,封装为LFPAK33。该产品已通过AEC-Q101认证,适用于安全气囊应用的线性模式。

商品特性

  • 在175°C下完全符合AEC-Q101汽车级标准
  • 增强型SOA技术,提升线性模式性能
  • LFPAK铜夹封装技术:
  • 高稳健性和电流处理能力
  • 鸥翼式引脚,便于自动光学检测(AOI),并具有出色的电路板级可靠性

应用领域

  • 12 V汽车系统
  • 安全气囊点火器电压调节器MOSFET

数据手册PDF