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PSMN1R8-80SSFJ
NextPower 80 V, 1.8 mOhm, 270 Amp, N 沟道场效应晶体管 in LFPAK88 package
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- 描述
- 80 V，标准电平栅极驱动MOSFET。符合175℃标准，推荐用于工业和消费应用。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN1R8-80SSFJ
- 商品编号
- C7508965
- 商品封装
- DFN1006D-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 通道数 | 单路 | |
| 类型 | ESD |
商品概述
NextPower 80 V标准电平栅极驱动MOSFET。可在175 ℃环境下工作，适用于工业和消费类应用。
商品特性
- 低Qrr，效率更高，尖峰更低
- 连续电流额定值ID(max)为270 A
- 低QGxRDSon品质因数，适用于高效开关应用
- 雪崩能量额定值(Eas)高
- 雪崩额定，100%测试
- 无卤且符合RoHS标准的LFPAK88封装
应用领域
- AC-DC和DC-DC同步整流器
- DC-DC初级侧开关
- 无刷直流电机控制
- 全桥和半桥应用
- 电池保护