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PSMN1R8-80SSFJ引脚图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PSMN1R8-80SSFJ

NextPower 80 V, 1.8 mOhm, 270 Amp, N 沟道场效应晶体管 in LFPAK88 package

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描述
80 V,标准电平栅极驱动MOSFET。符合175℃标准,推荐用于工业和消费应用。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PSMN1R8-80SSFJ
商品编号
C7508965
商品封装
DFN1006D-2​
包装方式
编带
商品毛重
0.01克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
极性单向
反向截止电压(Vrwm)-
钳位电压-
峰值脉冲电流(Ipp)-
峰值脉冲功率(Ppp)-
击穿电压(VBR)-
属性参数值
反向电流(Ir)60nA
通道数单路
工作温度-55℃~+175℃
防护等级-
类型ESD
Cj-结电容-

商品概述

NextPower 80 V标准电平栅极驱动MOSFET。可在175 ℃环境下工作,适用于工业和消费类应用。

商品特性

  • 低Qrr,效率更高,尖峰更低
  • 连续电流额定值ID(max)为270 A
  • 低QGxRDSon品质因数,适用于高效开关应用
  • 雪崩能量额定值(Eas)高
  • 雪崩额定,100%测试
  • 无卤且符合RoHS标准的LFPAK88封装

应用领域

  • AC-DC和DC-DC同步整流器
  • DC-DC初级侧开关
  • 无刷直流电机控制
  • 全桥和半桥应用
  • 电池保护

数据手册PDF