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PSMN012-60HLX
N沟道60V 12.5mΩ逻辑电平MOSFET
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- 描述
- 双逻辑电平 N 沟道 MOSFET，采用 LFPAK56D（双 Power-SO8）封装，使用特定应用（ASFET）重复雪崩硅技术。N 沟道 MOSFET，采用增强型 TrenchMOS 技术以适应重复雪崩，适用于重复雪崩应用。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN012-60HLX
- 商品编号
- C7508944
- 商品封装
- SOD-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.236克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 击穿电压 | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用LFPAK56D（双Power-SO8）封装的双逻辑电平N沟道MOSFET，使用特定应用（ASFET）重复雪崩硅技术。
商品特性
- 高可靠性LFPAK56D封装，铜夹、焊片连接，可在175℃下工作
- 经过10亿次雪崩事件测试
- LFPAK铜夹封装技术
- 铜夹、焊片连接
- 高鲁棒性和可靠性
应用领域
- 无刷直流和有刷直流电机控制
- DC-DC转换器
- 高性能同步整流