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PMPB09R1XNX
PMPB09R1XNX
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- 描述
- 采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚中功率DFN2020M - 6（SOT1220 - 2）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMPB09R1XNX
- 商品编号
- C7508931
- 商品封装
- DFN1006D-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.016克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.1mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 156pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、LFPAK56（Power SO8）表面贴装器件（SMD）塑料封装的P沟道增强型MOSFET。
商品特性
- 高散热功率能力
- 额定温度达175°C，适用于对散热要求高的环境
- 沟槽MOSFET技术
应用领域
- 反接电池保护
- 电源管理
- 高端负载开关
- 电机驱动