- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 类型 | ESD |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用小型SOT457（SC - 74）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 低阈值电压
- 扩展温度范围Tj = 175 ℃
- 极快的开关速度
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电（ESD）保护 > 1 kV HBM（H1C类）
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 高端负载开关
- 开关电路