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306D
2个N沟道 耐压:30V 电流:40A
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- 描述
- 306D 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。306D 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过易感性分析（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 306D
- 商品编号
- C7499836
- 商品封装
- PDFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.10372克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 814pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 201pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
- 低导通电阻RDS(ON)，以最小化传导损耗
- 低电容，以最小化驱动损耗
- 优化的栅极电荷，以最小化开关损耗
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 100% EAS保证
应用领域
- 核心电压（VCORE）应用
- 直流-直流转换器
- 高端/低端开关