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20P02
1个P沟道 耐压:20V 电流:20A
- 描述
- 20P02是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。20P02具备完整的功能可靠性，符合RoHS标准和绿色产品要求。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 20P02
- 商品编号
- C7499849
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.187167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 18W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 590pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- N沟道：40V、14A
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) < 22mΩ
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 28mΩ
- P沟道：-40V、-14A
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) < 50mΩ
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 70mΩ
- 出色的栅极电荷x RDS(ON)乘积（品质因数）
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 快速开关速度
应用领域
- 电池保护-负载开关-电源管理