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2301D实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

2301D

1个P沟道 耐压:20V 电流:3.3A

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描述
2301D是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET,能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和效率。2301D符合RoHS标准和绿色产品要求,且经过全面的功能可靠性认证。
品牌名称
HL(富海微)
商品型号
2301D
商品编号
C7499855
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.035克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3.3A
导通电阻(RDS(on))55mΩ
耗散功率(Pd)1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))500mV
栅极电荷量(Qg)4.1nC
输入电容(Ciss)503pF
反向传输电容(Crss)58pF
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

优惠活动

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(3000个/圆盘,最小起订量 50 个)
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