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2301D
1个P沟道 耐压:20V 电流:3.3A
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- 描述
- 2301D是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。2301D符合RoHS标准和绿色产品要求，且经过全面的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 2301D
- 商品编号
- C7499855
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.1nC | |
| 输入电容(Ciss) | 503pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些是采用MegaFET工艺制造的P沟道功率MOSFET。该工艺采用的特征尺寸接近大规模集成电路（LSI），可实现硅的最优利用，从而带来出色的性能。它们专为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用而设计。这些晶体管可直接由集成电路驱动。
商品特性
-提供绿色环保器件-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制能力-先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 开关稳压器
- 开关转换器
- 电机驱动器
- 继电器驱动器
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