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20P02D实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

20P02D

1个P沟道 耐压:20V 电流:20A

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描述
20P02D是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。20P02D符合RoHS标准和绿色产品要求,且已通过全功能可靠性认证。
品牌名称
HL(富海微)
商品型号
20P02D
商品编号
C7499850
商品封装
PDFN-8(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.11492克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))15mΩ
耗散功率(Pd)5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))700mV
栅极电荷量(Qg)15.3nC
输入电容(Ciss)2nF
反向传输电容(Crss)231pF
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

优惠活动

  • 9

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    (5000个/圆盘,最小起订量 5 个)
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