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4485
1个P沟道 耐压:40V 电流:13A
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- 描述
- 4485 是高单元密度的沟槽式 P 沟道 MOSFET，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。4485 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过 EAS 保证，且经过全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 4485
- 商品编号
- C7499854
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1957克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.525nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 172pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
031N03L采用先进的技术和设计，可提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 100%保证具有抗雪崩能力(EAS)
应用领域
- 逆变器
- 电源