温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
10P06
1个P沟道 耐压:60V 电流:10A
- 描述
- 10P06是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。10P06符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过易感性评估（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 10P06
- 商品编号
- C7499848
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45368克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.85nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 715pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
20P02是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。20P02具备完整的功能可靠性，符合RoHS标准和绿色产品要求。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 100%保证抗雪崩能力(EAS)