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6800B
2个N沟道 耐压:30V 电流:4.5A
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- 描述
- 6800B采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下仍能提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 6800B
- 商品编号
- C7499837
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042533克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 提供环保型器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术