温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
30N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:30A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 30N10是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。30N10符合RoHS和绿色产品要求，100%通过了雪崩能量（EAS）测试，并具备经认证的全功能可靠性。
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 30N10
- 商品编号
- C7499841
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4662克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 43.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.42nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 84pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
302 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 302 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100% 保证通过易感性评估（EAS）测试，并通过全功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供绿色环保器件
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 100%雪崩能量耐量(EAS)保证